سال انتشار: ۱۳۸۲

محل انتشار: هشتمین کنگره ملی مهندسی شیمی ایران

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

مهرک محمودی – دانشکده مهندسی شیمی، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
محمدجعفر عبدخدائی – دانشکده مهندسی شیمی، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
داود رشتچیان – دانشکده مهندسی شیمی، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
سعیده خطیبی راد – دانشکده مهندسی شیمی، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

چکیده:

برای تعیین میزان رهایش ماده میانجی در شکاف سیناپسی از یک مدل ریاضی استفاده شده است . در ای ن مدل با لحاظ کردن اثر نفوذ یونهای کلسیم در رهایش ماده میانجی، مدل چادیوری را بهبود داده است . با وقوع یک پتانسیل عمل در غشاء پیش سیناپسی، کانال های کلسیم باز شده و یون های کلسیم را وارد پایانة پیش سینا پسی می کنند . سپس این یون ها در مسیر بین دهانة کانال تا مکان های رهایش نفوذ می کنند تا در آنجا باعث رهایش مادة میانجی شوند . مقداری از یونهای کلسیم در طی این نفوذ توسط فرایندهای حذف کلسیم در داخل پایانة پیش سیناپسی، حذف می گردند . مدل ریاضی حاضر، شامل معادلات دیفرانسیل پاره ای مرتبی به هر ی ک از فرایندهاست که با استفاده از روش های عددی حل شده اند . در نتیجه حل این معادلات، منحنی های تغییرات زمانی غلظت یونهای کلسیم در مکانهای رهایش و مقدار زمانی رهایش ماده میانجی بدست آمده اند . در انتها نیز اثر اعمال دو پالس پتا نسیل عمل متوالی بر روی رهایش ماده میانجی مورد بررسی قرار گرفته است .