سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: اولین کنفرانس مهندسی فوتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

m hatami – Atomic & Molcular group, Faculty of Science, Yazd Univ., Yazd, Iran
s shakeri – Atomic & Molcular group, Faculty of Science, Yazd Univ., Yazd, Iran

چکیده:

در این مقاله انتشار تپ در میکرو حلقه شبیه سازی و رفتار تپ را با افزایش شدت بررسی کرده ایم .نتایج نشان می دهد این لیزر در توان های کم بازده خوبی دارد .همچنین توان آستانه در مرتبه ۲۰۰uw محاسبه شده است که با نتیجه تجربی ۲۳۴/۵uW تطلبق خوبی دارد.در محاسبات ماده در نظر گرفته شده سیلیکون بر روی عایق است که به علت ضریب غیر خطی بالا اخیرا مورد توجه قرار گرفته است