سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

رحیم فائز – دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی شریف تهران
احسان عطایی پور – دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
عقیل باجلان – دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز

چکیده:

دراین مقاله ترانزیستور اثر میدان یک کاناله و دوکاناله با استفاده از پیوند ناهمگن HEET براساس InGaP/InGaAs/GaAs شبیه سازی شده است هدف از این بررسی تونل زدن بین دو کانال و اثر آن برمشخصه ترانزیستور بوده است در شبیه سازی این ترانزیستور ها لازم است اثر غیرمحلی پتانسیل بر الکترون درن ظر گرفته شود دراین مقاله اثر غیرمحلی پتانسیل بصورت یک تصحیح کوانتومی در معادلات درنظر گرفته شده است نتایج شبیه سازی همخوانی خوبی با نتایج آزمایش دارد برای ساختار یک کاناله هم شبیه سازی انجام گرفته و نتایج آن با حالت دو کاناله مقایسه شده است که نشان دهنده بهبود مشخصه های ساختار دوکاناله نسبت به یک کاناله است.