سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: سومین کنفرانس ملی خلاء

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

حسام ایلاتی – آزمایشگاه نانوالکترونیک ، دانشکده برق ، دانشگاه صنعتی شریف
میثم باوفا –
بیژن رشیدیان –

چکیده:

در این نوشتار نتایج شبیه سازی فرآیند لایه نشانی سیلیکن آمورف به روش PECVD ارائه شده است و تاثیر فشار محفظه بر روی خواص لایه نشانده شده مورد بررسی قرار گرفته است. به منظور ارزیابی کیفیت و یکنواختی لایه نشانده شده دو معیار کیفی تعریف شده است. همچنین نرخ لایه نشانی سیلیکن آمورف در فشارهای کمتر از یک تور (شرایط متداول لایه نشانی) بر حسب موقعیت مکانی بر روی بستر و الکترود توان نشان داده شده است.