سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

احمد راست قلم – اصفهان – خیابان هزار جریب – دانشگاه اصفهان – دانشکده فیزیک
مرتضی مظفری – اصفهان – خیابان هزار جریب – دانشگاه اصفهان – دانشکده فیزیک
جمشید عمیقیان – اصفهان – خیابان هزار جریب – دانشگاه اصفهان – دانشکده فیزیک

چکیده:

ما در این تحقیق،بااستفاده از مدل سازی مغناطیسی در مقیاس اتمی ، روشی برای بررسـی رفتـار مغناطیـس ی یـک خوشـة مغناطیسی نظیر یک تک یاختة فریت روی را ارائه داده ا یم . سپس توزیع های اسپینی و گشتاورهای خالص مغناطیس ی برای این نمونـه محاسبه شده اند . این محاسبات کمیات تبادلی و ناهمسانگردی بدست آمده از اطلا عات ساختارهای حجمی را برای اسـپین هـاییـر
سطحی و تخمین های معقولانه ای را برای اسپین های سطحی ، ناشی از پیوندهای شکسته شده در سـطح در بـر مـی گیـرد . در ایـن پژوهش منحنی مغناطش این خوشه مغناطیسی شبیه سازی شده است . با شبیه سازی این منحنی ، دریافته ایم که میدان خـا رجی لازم ۶ برای اشباع یک تک یاختة فریت روی از مرتبة ۱۰ ارستد ۱ است . همچنین مغناط ش ذاتی سه هنگرد شامل یـک ، ده و صـد میلیـون عضو از تک یاخته های فری ت روی نا برهم کنشی محاسبه شده اند . نتایج این کارنشان می دهد که اگر طول ضلع ساختار فریت روی را به حدود طول ضلع یک تک یاخته کاهش دهیم، علی رغم ساختار کپه ای ، می توان مغناطش ذاتی نا صفر را انتظار داشت .