سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۵

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

آزاده سادات نعیمی – گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
میترا بقال نژاد – گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
هادی عربشاهی – گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار

چکیده:

در این مقاله خواص ترابرد الکترون در ساختار وورتسایت GaN در محدوده دمایی ۳۰۰-۶۰۰ K با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو مطالعه شده است . در این پژوهش میدان الکتریکی در دو GaN ( بصورت غیر سهموی و بیضوی فرض شده اند . در محاسبة ترابرد الکترون در ساختار وورتسایت Γ, U,K ( سه درة مهم نوار هدایت و عمود بر آن بررسی شده است . تحقیقات انجام شده نشان می دهد که با افزایش دما به دلیل افزایش آهنگ پراکندگی، ماکزیمم سرعت سوق در C جهت موازی محور . بررسی شده است GaN میدانهای بالاتر، کاهش می یابد . همچنین در این مقاله بستگی تحرک پذیری الکترونها به دما و چگالی اتمهای ناخالصی در ساختار وورتسایت تحقیقات انجام شده نشان می دهد که تحرک پذیری الکترونها در دماهای بالاتر به دلیل افزایش آهنگ پراکندگی به شدت کاهش یافته و در دماهای پایین کاهش تحرک پذیری ناشی از اثر غالب تحرک پذیری از مراکز ناخالصی است . نتایج محاسبات با اندازه گیریهای انجام گرفته و دیگر دادهای منتشر شده در سایرمقالات مقایسه شده است و در توافقخوبی با آنها است