سال انتشار: ۱۳۹۴
محل انتشار: کنفرانس ملی فن آوری، انرژی و داده با رویکرد مهندسی برق و کامپیوتر
تعداد صفحات: ۶
نویسنده(ها):
علی فتاح حصاری – دانشگاه شاهرود
علی حلاج زاده – دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر موسسه اموزش عالی پویش

چکیده:
باپیشرفت روزافزون سرعت درمدارهای الکترونیکی به افزاره ای درصنعت الکترونیک به نام دیودهای سدشاتکی پردخته خواهد شد همانطور که توضیح داده میشود دیود شاتکی ازدوقسمت نیمه هادی وفلز تشکیل میشود تفاوت این مقاله بادیگر مقاله ها درنوع نیمه هادی و فلز بهکاررفته درساختاروتشکیل سدشاتکی می باشد ساختاراین دیود ازدوقسمت نیمه هادی باماده GaN والیاژهایی با مواد AlGaN تشکیل شده است مادراینجا به شبیه سازی ساختاروبررسی منحنی مشخصه جریان ولتاژ این قطعه الکترونیکی دربایاس مستقیم و معکوس می پردازیم عملکرداین ساختار دردماهای مختلف و همچنین نتایج و پارامترهای استخراج شده ازشبیه سازی ها نیز بررسی خواهد شد