سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس سالانه انجمن کامپیوتر ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

محمد حسین معیری – آزمایشگاه میکروالکترونیک دانشگاه شهید بهشتی
رضا فقیه میرزایی – آزمایشگاه فناوری نانو و محاسبات کوانتومی دانشگاه شهید بهشتی
کیوان ناوی – دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه شهید بهشتی

چکیده:

در این مقاله دو مدار تمام جمع کننده تک بیتی با سرعت بالا و توان مصرفی کم راایه شده است. تمامی گره های این دو مدار از نوسان ولتاژ کامل (Full Voltage Swing) برخوردارند که باعث کاهش حساسیت آنها نسبت به نویز و افزایش قابلیت اطمینان می شود. مدارهای ارایه شده به همراه چندین مدار تمام جمع کننده جدید در محیطی واقعی توسط نرم افزار HSPICE و با تکنولوژی ۹۰ CMOS نانومتر شبیه سازی شده اند. نتایج شبیه سازی برتری طرح های ارایه شده را نسبت به دیگر مدارها، از لحاظ سرعت و توان مصرفی، نشان می دهد. به سبب سرعت بالا و توان مصرفی پایین و ساختار ساده مدارهای ارایه شده، آنها را می توان به طور موثر در سیستم های بر تراشه و سیستم های تعبیه شده مجتمع سازی کرد.