سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

فاطمه احمدزاده – مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای، سازمان انرژی اتمی، گروه فیزیک دا
مجید مجتهدزاده لاریجانی – مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای، سازمان انرژی اتمی
عبدالعلی ذوالانواری – گروه فیزیک دانشگاه اراک
پروین بلاش آبادی – مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای، سازمان انرژی اتمی

چکیده:

در این تحقیق پس از ساخت دستگاه پوشش دهی بخار شیمیایی با پلاسمای جریان مستقیم (DCPECVD) و تکمیل قسمت های مختلف آن از جمله مداراتالکترونیکی ، سیستم حرارتی و خلا ٕ ، از آن برای رشد نانولوله های کربنی استفاده شده است . ابعاد محفظه۴۵۰× ۵۴۰ میلی متر مربع و خلا زمینه آن حدود ۵torr -2 ×۱۰می باشد . به کمک این دستگاه و با تولید یک پلاسمای جریان مستقیم با ولتاژ۱۸۰ ولت و جریان ۵۰میلی آمپر بین کاتد ( زیر لایه در دمای o C750 و آند کهدر فاصله ۶ میلی متری از آن قرار دارد و با ورود گازهای هیدروژن و استیلن نانولوله هایی عمودی و موازی رشدداده شدند .