سال انتشار: ۱۳۸۲

محل انتشار: یازدهمین کنفرانس مهندسی پزشکی ایران

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

سعید کرمانی – دانشگاه علوم پزشکی اصفهان، دانشکده پزشکی، گروه مهندسی پزشکی

چکیده:

هدف طراحی یک پالس ساز پانصد ولت، ده آمپر با زمان گذر ده نانو ثانیه با MOSFET های ارزان قیمت موجود در بازار ایران می باشد. در این طرح از ‍Cascode کردن MOSFET های معمولی به منظور به دست آوردن زمان های گذرایی کمتر از ده نانو ثانیه بهره گیری شده است و برای تولید Burst ، قابل کنترل از دو هزار تا ۱۰۰ هرتز، ترکیب مدار اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ (VCO) و منواستابل معمولی به کار رفته است با استفاده از روش کنترل لغزان و کلید زنی منبع تغذیه قابل کنترل از صد تا پانصد ولت طراحی شده توسط ژنراتور پالس ساخته شده می توان توانی در حدود پنج کیلو وات را تأمین نمود عض پالس ها از صد تا هزار نانو ثانیه و به صورت کنترل شده ای با تعداد تکرار بیش از صد تا دو هزار بار در ثانیه قابل انتخاب می باشد. قطعات سوئیچ خیلی سریع قدرتی مانند MOSFET , IGBT بسیار گران که دسترسی به آن در بازار ایران محدود می باشد. روش Cascode کردن MOSFET های معمولی می تواند در رنج کاری سوئیچ صد نانو ثانیه با توان پنج کیلو وات جانشین مناسبی برای آنها باشد. همچنین ترکیب VCO و منواستابل به منظور ایجاد پالسهای Burst با عرض پالس کم (nsec100-100)و تکرار صد تا دو هزار بار در ثانیه روش مناسی است.