سال انتشار: ۱۳۸۰

محل انتشار: چهارمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

حجت اله حمیدی – پژوهشکده الکترونیک دانشگاه علم و صنعت

چکیده:

دراین مقاله طراحی و مراحل رشد یک دیود Pn از جنس GaAs را تشریح کردها یم این دیود از طریق رشد یکلایه با ضخامت ۱ میکرومتر از جنس GaAs نوع n با ناخالصی سیلیکون ۶×۱۹ ۱۷cm-3برروی زیرلایه ای از جنسGaAs نوع P با چگالی حاملها ۱۷ ۱۰CM-3 رشد داده شده است لایه نشانی به روش MBE انجام شد و فشار مبنای محفظه رشد کمتر از ۱۰ -۱۰Torr و فشارکاری که غالب آن از ارسنیک است بین ۱۱۰-۷-۱۰-۵ بوده و مشخصه نگاری درهنگام رشد توسط سیستم RHEED و پس از رشد توسط روشهای I-V,C-V صورت گرفته است.