سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

فاطمه سنگ قلعه – گروه فیزیک دانشکده علوم دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
رضا افضل زاده –
مجید واعظ زاده –

چکیده:

فلز Zn به روش PVD با تبخیر حرارتی بر روی زیرلایه های شیشه ای و همچنین سیلیکون در دمای اتاق لایه نشانی شد. سپس لایه های حاصل تحت شار اکسیژن ۰/۰۳ لیتر بر دقیقه، در دماهای ۴۵۰-۶۰۰ درجه سانتیگراد و بازه زمانی ۴-۱ ساعت بازپخت گردیدند. تصاویر SEM نشان می دهند که نانوساختارهای ZnO شامل نانوشانه ها، نانوسرخس ها، نانومیله ها و نانوسیم های ZnO رشد کرده اند. سازوکار حاکم بر رشد نانوساختارهای ZnO سازوکار بخار-جامد (VS) می باشد. با افزایش دما و زمان بازپخت طول نانوسیم های حاصله افزایش یافته است. حضور شار اکسیژن تاثیر مستقیم بر رشد نانوسیم ها داشته است. تصاویر SEM نشان میدهند زیرلایه مورد استفاده نقش چندانی در رشد این نانوساختارها ایفا نمی نماید. آنالیز EDX نشان می دهد نمونه ها به طور کاملا خالص، فقط شامل عناصر Zn و O باشند.