سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مرتضی رفیع – گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه اصفهان
سعید جلالی اسدآبادی – گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه اصفهان، مرکز تحقیقات علوم و تکنول

چکیده:

تابع کار و انرژی سطح به ازای واحد مساحت در چارچوب نظریه تابعی چگالی برای یک بره متقارن از سیلیکون شامل دو سطح ( بالا و پایین ) محاسبه شده اند . الگوی این سطوح به طور نظری با استفاده از روش ابریاخته با روی هم قراردادن تعدادی از لایه های سیلیکون در امتداد محور بلور شناسی ] [ ۱۱۱ به دست آمده اضافه شده اند . نتایج نشان می دهند که تابع کار و انرژی سطح به Si (111) است . به منظور متقارن ساختن این بره دو مقدار یکسان از خلا در بالا و پایین سطوح خوبی به ازای ۸ دولایه ای ۱۶) لایه ) همگرا می شوند که خود گویای آن است که ۸ دولایه ای برای شبیه سازی سیلیکون به عنوان زیر لایه مناسب می باشد . سپس به منظور شبیه سازی سطح مشترک سرب و سیلیکون اتم های سرب بر روی سطوح آماده شده سیلیکون لایه نشانی شده اند . محاسبات در غیاب و حضور برهمکنش اسپین – مدار برای سه فاز (top site) T1 ، (fcc) T4 و (hcp) H3 انجام شده اند . انرژی های کل محاسبه شده در توافق با اندازه گیری های تجربی نشان می دهند که فاز T1 ، که در آن اتم سرب در امتداد اتم اولین لایه سیلیکون واقع شده است، پایدارترین فاز می باشد . سپس تابع کار، انرژی تشکیل و همچنین انرژی پیوند Pb-Siدر سطح مشترک Pb/Si (111) برای پایدارترین حالت به دست آمده محاسبه شده اند.