سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

هاجر، کاویانی باغبادرانی. – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
منوچهر، کلافی. – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
اصغر عسگری – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز

چکیده:

در این مقاله طیف انرژی و ضریب جذب نوری الکترونها ی محدود شده در نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs/GaAs محاسبه می شود. مدل ما برای بررسی خواص نوری و ساختار الکترونیکی برپایهی تقریب جرم موثروبه روش بسط موج تخت است نتایج بدست آمده نشان میدهد که ساختار الکترونیکی، قدرت نوسان کنندگی و ضریب جذب نوری انتقا لات بین ترازی به پارامترهای سامانه ی وابسته بوده و با افزایش حجم قدرت نوسان کنندگی افزایش و ضریب جذب کاهش مییابد