سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۵

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

احسان رحیمیان محمدی – مرکز تحقیقات لیزر، سازمان انرژی اتمی ایران، تهران
وحید احمدی – مرکز تحقیقات لیزر، سازمان انرژی اتمی ایران، تهران، گروه الکترونیک،

چکیده:

بهره قطبشهای TMو TE در ساختار لیزر چاه کوانتومی تنشیAl x Ga − x As – GaAs با در نظرگرفتن جفت شدگی نوار ظرفیت محاسبه شده اند . نتایج بدست آمده نشان می دهد که در اثر تنش فشاری زیر نوار حفره های سبک، LH1 ، به سمت بالا و زیر نوار حفره های سنگین، HH1 ، به سمت پایین جابجا می شوند . از مقایسه طیفهای بدست آمده با طیفهای ساختار غیر تنشی نتیجه می شود که بهره قطبش TE کاهش ولی در قطبش TM افزایش می یابد . در محاسبات انجام گرفته زیر نواهای hh1 و ۱ لحاظ شده اند