سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

عادله مخلص گرامی – دانشکده فیزیک دانشگاه گیلان
حمید رحیم پور سلیمانی – دانشکده فیزیک دانشگاه گیلان

چکیده:

تابع توزیع حاملها در نیمه رسانای GaAs برای فرایندهای پراکندگی همسانگرد و ناهمسانگرد به وسیله روش مونت کارلو محاسبه می شود. ما مکانیزم های پراکندگی فونون اپتیکی قطبی، فونون اپتیکی غیر قطبی، پتانسیل تغییر شکل پراکندگی فونون آکوستیکی و پراکندگی ناخالصی یونیزه شده را در نظر می گیریم.