سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمد علی صادق زاده – دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد ، یزد
الهام ابوالحسنی –

چکیده:

در این مقاله تحرک پذیری گاز حفره ای دوبعدی (۲DHG) در ساختار دور آلاییده p-Si/SiGe/Si در شرایط رسانش موازی محاسبه گردید. در دمای معین T، دو کانال رسانش موازی حاوی گاز حفره ای در لایه آلیاژی و لایه آلاییده ساختار مذکور وجود دارد. تحرک پذیری و دانسیته سطحی آنها با استفاده از وابستگی دمایی نتایج آزمایش هال انجام شده بر این ساختار و ساختار تک لایه آلاییده Si/p-Si/Si مشابه و بر اساس فرمولبندی رسانش موازی بدست آمد.