سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

سعیده اصغری – گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا ( س ), تهران
عبدالله مرتضی علی – گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا ( س ), تهران
رضا ثابت داریانی – گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا ( س ), تهران

چکیده:

سیلیکان متخلخل (PS) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید . تا کنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فتولومینسانس (PL) انجام شده، اما هنوز ساز و کار آن دقیقا " مشخص نیست . به نظرمی رسد که تخلخل، به عنوان ناهمواری سطحی در ابعاد چند نانومتر، اثرات کوانتومی در فرآیند جذب برای محاسبه ثابت های اپتیکی بررسی می شود و پس از محاسبه ثابت های اپتیکی برای سیلیکان و سیلیکان [۱] نشان می دهد . در این مقاله ابتدا روش کرامرز – کرونیگ PS و انعکاس از متخلخل به بررسی نتایج و مقایسه آنها در مورد سیلیکان و سیلیکان متخلخل می پردازیم