سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: دوازدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

محمد مهدی طهرانچی – تهران، اوین، دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، آزمایشگاه
مجید قناعت شعار – تهران، اوین، دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، آزمایشگاه
سمیه رفیعی – تهران، اوین، دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، آزمایشگاه
نرگس انصاری – تهران، اوین، دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، آزمایشگاه

چکیده:

بلورهای نوری مغناطیسی از ترکیب لایه های دی الکتریک و حداقل یک لایه مغناطیسی با مغناطش خودبخودی یا القایی تشکیل می شوند . حبس شدید نور در نزدیکی لایه مغناطیسی، منشاء افزایش پاسخ خطی و غیر خطی مگنتو نوری می گردد . در این مقاله انتشار امواج مگنتو استاتیک از میان ساختار چند لایه بلور نوری مغناطیسی متشکل از n +1 سلول واحد دی الکتریک که از یکسو به لایه مغناطیسی و از سوی دیگر به لایه رسانا محدود شده، بصورت تحلیلی مورد بررسی قرار گرفته است و رابطه پاشندگی برای این ساختار از روش ماتریسی محاسبه شده است . نتایج حاصل، تطبیق خوبی با مراجع دارند.