سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: دومین همایش سراسری کاربردهای دفاعی علوم نانو

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

حمدا… صالحی – دانشگاه شهیدچمران اهواز
حسین طولابی نژاد – دانشگاه شهیدچمران اهواز

چکیده:

دراین مقاله باتوجه به نظریه تابعی چگالی و حل معادلات کوهن شم با استفاده ازپایه های موج تخت به محاسبه ویژگیهای الکترونی ازجمله ساختارنوارهای انرژی و چگالی حالت های نانوسیم InP پرداخته شده است نتایج بدست امده نشان میدهد که نوارهای انرژی سطح فرمی را قطع نکرده و دارای یک گاف انرژی به اندازه ۱/۴۹ eV می باشد که سازگاری خوبی با نتایج تجربی دارد