سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

زینب خصوصی ثانی – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز
علی سلطانی والا – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز

چکیده:

در این کار ساختار نوار بلور فوتونی یک بعدی با پایه های پیچیده با استفاده از روش ماتریس انتقال محاسبه شده است . بلورهای فوتونی یک بعدی نوعی که در اغلب مقالات مورد بررسی قرار گرفته اند از دو لایه تشکیل شده اند، که در آن ثابت دی الکتریک و عرض لایه ها متفاوت می باشند . از نقطه نظر کاربردی موقعیت و پهنای نوار ممنوعه از اهمیت زیادی برخوردار است . بناب راین در این مقاله، هدف مطالعه تغییراتی است که در اثر اضافه کردن لایه سوم به بلور فوتونی نوعی ایجاد می شود و انتظار می رود بتوان با بهره گیری از این ساختار سه لایه ای موقعیت و پهنای نوار ممنوعه را طراحی و کنترل کرد . ما ابتدا رابطه پاشندگی تحلیلی وابسته به امواج الکترومغناطیسی از نوع عرضی – مغناطیسیTM را برای بلور فوتونی که در آن سلول واحد شامل سه لایه است، بدست می آوریم و با استفاده از روشهای عددی نتایج محاسبه ساختار نواری بلور فوتونی ارائه خواهد شد