سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

علی شاه حسینی – دانشجو
کامیار ثقفی – گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شاهد

چکیده:

در این مقاله روش های مورد استفاده در مدلسازی و شبیه سازی افزاره های تک الکترون با تاکید بر ساختار ترانزیستوری مبتنی بر قضیه ارتودوکس (Orthodox Theory) تحقیق شده است . در یک دسته بندی کلی این روش ها را می توان به دو گروه تقسیم کرد . این دو روش عبارتند از : روش معادله اصلی (Master Equation) ، روش مونت کارلو . در روش اول که هدف حل معادله اصلی است، می توان یا از تکنیک های عددی استفاده کرد و یا به روش تحلیلی و با تقریب های مناسبی در حالت های خاص یک رابطه ی بسته برای جواب معادله بدست آورد . در این تحقیق ضمن بررسی مقایسه ای روشهای مورد اشاره، نتایج حاصل از حل معادله اصلی با تکنیک عددی را برای شبیه سازی یک نمونه ترانزیستور تک الکترون ارائه خواهیم کرد .