سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس سالانه انجمن کامپیوتر ایران

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

پویا کمالی نژاد – دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
محمدرضا قادری – دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
محمد مقدم تبریزی – دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
بهجت فروزنده – دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران

چکیده:

در این مقاله روش طراحی و تحلیل مداری سلول های حافظه فلش در تکنولوژی m0/18 تک پلی سیلکین ارائه می گردد. مدل ارائهو حالت گذرا را بدون نیاز به صرف زمان طولانی شبیه سازی ارائه می دهد. برای محاسبه dc شده تطابق قابل توجهی از نظر نقطه کار ولتاژ گیت شناور، روش آ یینه ج ریان ایده آل به همراه روش ولتاژ گیت کنتر لی ارائه می گردند. به این ترتیب امکان شبیه سازی یک سلول حافظه فلش در یک ش بیه ساز مدا ری مثلSPICE فراهم می گردد. در این روش بر ای اعمال حالت ه ای نوشتن/پاک کردن رابطه تونل ز نیFowler-Nordheimمورد استفاده قرار می گیرد. همچنین استفاده از یک منبع ولتاژ وابسته به ولتاژ در این مدلباعث افز ایش دقت شده و ارائة روش ج دید نوشتن / پاک کردن حافظه، عدم ورود تران زیستورها به ناحیه تریود را در حین این فرایندها تضمین میکند.