سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: سومین کنفرانس ملی خلاء

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمد علی صادق زاده – دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد
الهام ابوالحسنی –
لیلا غریب شاهی –

چکیده:

در این مقاله مشخصه یابی الکتریکی آلایش لایه ای سیلیکان – برون در ساختار Si/Si-B/Si که با سیستم رونشانی پرتو ملکولی (MBE) رشد یافته می پردازیم. پس از رشد ساختار، ولتاژ عرضی هال در گستره دمایی ۶۰ تا ۳۰۰ کلوین اندازه گیری شده و متعاقبا وابستگی دمایی ضریب هال به دست آمده است. با برازش نظری تغییرات دانسیته سطحی حفره ها نسبت به دما، چگالی و انرژی یونش ناخالصی، فاکتور هال و ضریب بالاکشیدگی تراز فرمی محاسبه شده است.