سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

زهرا پیراسته – مرکز تحقیقات کشاورزی، پزشکی و صنعتی ، سازمان انرژی اتمی ، کرج و دانشکده
مجید مجتهدزاده لاریجانی – مرکز تحقیقات کشاورزی، پزشکی و صنعتی ، سازمان انرژی اتمی
محمدرضا خانلری – دانشکده علوم پایه،دانشگاه بین المللی امام خمینی قزوین

چکیده:

در این تحقیق، اثر دز کاشت هیدروژن با انرژی ۷۰keV برخواص میکروونانو ساختاری (۴۰۰) Si بررسی شده است. نمونه ها در دمای ۸۵۰ درجه سانتیگراد در یک کوره خلاءبه فشار torr 10-5 به مدت ۲ساعت بازپخت شدند. آنالیزهای پراش اشعه ایکس (XRD) و طیف نمایی تبدیل فوریه مادون قرمز (FTIR) ومیکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) انجام شده اند تا ساختار نمونه های تابیده شده مطالعه شوند. بر طبق نتایج ما،غلظت هیدروژن با افزایش دز کاشت، افزایش وبا بازپخت، بدلیل فرار هیدروژن بخاطر ایجاد تاول های شکافته شده در سطح سیلیکون، کاهش می یابد.