سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۵

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

فرشته رحیمی – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
فاطمه آستارائی – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
اعظم ایرجی زاد – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
مصطفی معتمدی فر – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف

چکیده:

در این مطالعه، سیلیکن متخلخل بر روی پایه سیلیکن نوع p ساخته شد و سطح توسط میکروسکوپ نیرو اتمی مشاهده گردید . این مشاهدات حاکی از آن است که بر روی سطح، دیواره هایی از سیلیکن به قطر ۲۰ تا ۳۰ نانومتر بر جای مانده و حفره هایی به قطر تقریبی ۲۰ نانومتر به وجود آمده اند . رسانایی الکتریکی نمونه ها در برابر چند درصد متانول به اندازه ی چند مرتبه بزرگی تغییر می کند و نتایج طیف سنجی تونلی – روبشی از نمونه ها نشان می دهد که حضور متانول موجب افزایش بسیاری در چگالی حالتهای الکترونی به خصوص در شکاف انرژی می شود . علاوه بر این حضور نور و نور به همراه متانول نیز به طور مؤثری جریان تونلی را افزایش می دهد