سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

فاطمه راضی آستارائی – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
فاطمه ایرجی زاد – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، پژوهشکده علوم و فناوری نانو ،دان
فرشته رحیمی – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف

چکیده:

در این مطالعه، نمونه های سیلیکن متخلخل بر روی پایه n-Si(111) ساخته شدند و سطح آنها توسط میکروسکوپ الکترونی مشاهده گردید . این مشاهدات حاکی از آن است که بر روی سطح، حفره های مثلثی شکل در ابعاد میکرونی تشکیل می شود . رسانایی الکتریکی نمونه ها در برابر چند درصد بخار متانول کاهش می یابد و نتایج تبدیل فوریه طیف مادون قرمز از نمونه ها نشان می دهد که حضور متانول موجب اکسید شدن جزیی و موقتی سطح سیلیکن متخلخل می شود . این بدان معنی است که حاملین آزاد در حضور متانول غیر فعال شده و بدین ترتیب کاهش جریان الکتریکی قابل توجیه می باشد . علاوه بر این تبدیل فوریه طیف مادون قرمز آشکار . نمی شود Si-H می سازد که اتمهای سطحی جفت نشده، با اکسیژن ترکیب می شوند ومانند روشهای معمول اکسیداسیون سطح سیلیکن، اکسیژن جایگزین پیوندهای با حذف بخار متانول پیوندهای اکسیژن پدید آمده در سطح از بین رفته و جریان هم به مقدار اولیه خود نزدیک می شود