سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

مرتضی فتحی پور – گروه مهندسی برق و کامپیوتردانشگاه تهران
شیرین قنبری – گروه فیزیک دانشگاه تهران
عزت اله ارضی – گروه فیزیک دانشگاه تهران

چکیده:

تغییر مقیاس ترانزیستورهای MPSFET به منظور بهبود عملکرد ترانزیستور MOS و کاهش هزینه ساخت آن انجام می شود . با کاهش ابعاد ، آثار کانال کوتاه مانند پیچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL که قبلا در ترانزیستورهای کانال طویل به چشم نمی آمدند اهمیت می یابند، که موجب اختلال در عملکرد ترانزیستور می شوند . یکی از روشها برای از بین بردن آثار کانال کوتاه ایجاد آلایش هاله کون وتبدیل ناخالصی بستر است .. ترانزیستوری با طول کانال موثر ۹۰ نانومتر شبیه سازی شده و با ایجاد آلایش هاله گون و تغییر ناخالصی بستر آثار کانال کوتاه را بهبود می دهیم .