سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: سومین کنفرانس ملی خلاء

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

عرفان لطفی – دانشگاه آزاد سنندج، گروه فیزیک
داوود آقاعلی گل – گروه فیزیک پژوهشکده علوم هستهای، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهرا
مهرداد شیروانی – بخش لیزر نیمه هادی پژوهشکده لیزر، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهرا
علی باقی زاده – گروه فیزیک پژوهشکده علوم هستهای، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهرا

چکیده:

در این مقاله آسیب بلوری ایجاد شده بر اثر کاشت ناخالصی ژرمانیوم با دو دوز و انرژی متفاوت در تک بلور سیلیسیم بررسی شده است. دز و انرژی ناخالصی های ژرمانیوم کشت شده در سیلیسیم عبارت است از: atom/cm2 10 به توان ۱۵ با انرژی ۳keV وatoms/cm2 5 ضربدر ۱۰ به توان ۱۶با انرژی ۱۰۰keV. آسیب بلوری ایجاد شده، با استفاده از تکنیک RBS-Channeling بررسی و پروفایل اتم های سیلیسیم جابجا شده از مکان شبکه ای خود بر حسب عمق، بعد از کاشت یونی به دست آمده است. همچنین اثر بازپخت حرارتی بر ترمیم شبکه بلوری سیلیسیم نیز مطالعه و بررسی شده است. علاوه بر این مورفولورژی سطح بلور سیلیسیم در جهت (۱۰۰) که با یون های زرمانیوم کاشت شده است. با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) قبل از بازپخت حرارتی مورد بررسی قرار گرفته است.