سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

مهدی میرابانها – آزمایشگاه لایه نازک، دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران
رسول اژئیان – آزمایشگاه لایه نازک، دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران
سعید مروری – آزمایشگاه لایه نازک، دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران
حمزه فولادوند – آزمایشگاه لایه نازک، دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران

چکیده:

در این تحقیق خواص فوتورسانایی فتالوسیانین مس در فوتورسپتورهای زیروگرافی بررسی شده است . با تکنیک تبخیر فیزیکی در خلأPVD ، فوتورسپتورهای تک لایه و دولایهای فتالوسیانین مس، تهیه شدهاند . سپس منحنیهای دشارژ تاریکی و روشنی لایههای تولید شده، رسم شدهاند . بوسیله منحنیهای دشارژ خواص فوتورسانایی فوتورسپتورهای تک لایه و دولایه مقایسه شده است