سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس مهندسی پزشکی ایران

تعداد صفحات: ۱۰

نویسنده(ها):

مردعلی یوسف پور – دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه صنعتی شریف، دانشگاه سمنان، دانشگ
عبداله افشار – دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه صنعتی شریف
جیونگ چن – دانشگاه سیچوان، چین
جان شینگ دونگ – دانشگاه سیچوان، چین

چکیده:

در این تحقیق، فرآیند رسوب الکتریکی برای ایجاد پوشش کامپوزیتی بایوسرامیک هیدروکسی آپاتیت و وینیل استات بر روی تیتانیوم خالص استفاده شده است. برای این منظور نمکهای کلسیم- فسفات و منومر وینیل استات به کار رفته است. هدف اصلی تحقیق و پژوهش بهبود خواص زیست سازگاری و کریستالیزه شدن پوشش بایو سرامیک هیدروکسی آپاتیت بوده. نتایج آنالیزهای پراش اشعه ایکس (XRD)، آنالیز شیمیایی سطح (XPS) و میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) نشان داده است که با افزایش مقدار وینیل استات در پوشش کاپوزیتی بایوسرامیک هیدروکسی آپاتیت با وینیل استات قبل و بعد از غوطه ور شدن پوشش کامپوزیتی در درون محلول شبیه سازی شده بدن (SBF)، کرستالهای آپاتیت رشد جهت دار در جهت صفحات (۰۰۲) داشته اند و تغییرات قابل ملاحظه ای در مورفولوژی سطح پوشش روی داده است.