سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مرتضی ایزدی فر – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود
ایرینا بایانوا – دانشکده فیزیک و سنجش اندازه گیری ، دانشگاه لینکشوپینگ ، سوئد

چکیده:

در این مقاله نقص های تشکیل ش ده در حین فراین د رش د در نیمرسانای جدید AlGaNP که توسط روش روآراستی پرتوـ ملکولی رشد داده شده ا ست به کمک نتـایج حاصل از اندازه گیریهای تجربی فوتولومینسانس (PL) و نیز تشدید مغناطیسی آشکار شده به روش اپتیکی(ODMR)مورد مطالعه قرار گرفته اند . وابـستگی طیفهـا بـهمقادیر آلومینیوم (Al) م وجود در نمونه ها و نیز درجه حرارت نشان می دهد که دو مرکز پارامغناطیسی مج زا که نقص های موجود در شبکه را تشکیل می دهند در نمونـهها وجود دارند . بررسی طیفهای تقریبĤ همگن ثبت شده در ازمایشات ODMR و توافق منحنی های تئوری و عملی بدست آمده نشان می دهد که ایـن نقـصها دو گـروهاتمهای گالیم (Ga) میانینی هستند که در فرایند رشد بوجود آمده ا ند یعنی Gai−A (i) : که توسط اتمهای گروه Gai−B (ii)و IIIکه توسـط اتمهـای گـروهVو یا اتمهای گروه V و IIIاحاطه شده اند.