سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مریم محمدی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد شاهرود
حسین عشقی – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود

چکیده:

در این مقاله به بررسی کمی مشخصه I-V بایاس در آشکار ساز Si/PtSi متخلخل ۵۰% نوع n و p دردماهای ۳۰۰ و ۷۷ کلوین پرداخته ایم. این داده ها در دمای پایین نشان دهنده رفتاری شکست گونه با ولتاژ شکست مشابه می باشند. مدل محاسباتی ما مبتنی بر فرایند گسیل گرما- یونی الکترون/ حفره با ضرایب ایده آلی بزرگ (n≈۱۰۰-۲۰۰) است. نتایج ما حاکی از آن است که در دمای پایین فرایند ترابری حامل ها ترکیب سازوکارهای گسیل گرما- یونی و عمدتا تونلی است. فرایند تونلی می تواند حاصل گسیل قوی میدانی ناشی از حضور میدان های الکتریکی بزرگ در نقاط نوک تیز (با ابعاد میکرومتری) ستون های سیلیکونی و از طریق حالت های سطحی در فصل مشترک سیلیساید- سیلیکون با تراکم بالا از مرتبه ۱۰۱۵cm-2eV-1~ باشد.