سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمدعلی صادق زاده – دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد ، یزد
آزاده آیت الهی – دانشکده فیزیک ، دانشگاه پیام نور مشهد، مشهد
جمیل آریایی – دانشکده فیزیک ، دانشگاه پیام نور مشهد، مشهد

چکیده:

در این مقاله وابستگی دمایی مقاومت طولی ρ گا ز حفره ای دو بعدی (۲DHG) در ساختار دور آلاییده دریچه دار P – Si/SiGe/Si برای درگستره دمایی ۱ تا ۵ کلوین مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. نتایج تجربی مؤید آن است که گذار فلز- عایق در ns دانسیته های مختلف دانسیته بحرانی nsc =2/7× ۱۰۱۱h/cm2 مقاومت بحرانی pc=11600Ω/sq متناظر با پارامتر kƒ l برابر با ۱/۶ رخ می دهد. این نتیجه و برازش نظری نتایج تجربی با نظریه و نتایج تجربی حاصل از کانال های مشابه (AlAs) همخوانی دارد.