سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

هادی حسین زادگان – دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
بهجت فروزنده – دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
پویا هاشمی – گروه مهندسی برق و علوم کامپیوتر، دانشگاه MIT ، ایالات متحده آمریکا
عزت اله ارضی – دانشکده فیزیک دانشگاه تهران

چکیده:

ساختار جدیدی از ترانزیستورهای تونل زنی عمودی بر روی زیرلایه SOI معرفی گردیده است که عکس شیب ولتاژ – جریان ناحیه زیر آستانه ( عامل ) S آن کمتر از مقدار ایده آل آن در ترانزیستورهای ماسفت معمولی است . چنین ساختاری قبلاً بر روی زیرلایه های سیلیکانی ساخته و مدل سازی گردیده است که در آن متوسطعکس شیب ناحیه زیر آستانه بالاتر از ۶۰میلی ولت بر دهه در دمای اتاق است . در این مقاله ، ما سعی کردهایم با شبیهسازی این افزاره بر روی زیرلایهیSOI ( سیلیکان بر روی عایق ) ، مقدار گزارش شدةSرا به یک سوم آن کاهش دهیم . این ساختار جریان را از طریق کنترل تونل زنی الکترون از باند ظرفیت به باند هدایت ناحیة سیلیکون ذاتی کنترل میکند . با جایگزینی زیرلایة عادی با زیرلایة SOI ، خروج الکترونهای تشکیل دهندة جریان تونلزنی از ناحیة تخلیة بین سورس و سیلیکان ذاتی، آسانتر صورت میگیرد و رفتار منحنی لگاریتمی جریان بر حسب ولتاژ و در نتیجه عامل s بهبود مییابد