سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

محمد عبدالاحد – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
امید اخوان – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
سودابه واثقی نیا – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
علیرضا مشفق – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف، پژوهشکده علوم و فناوری نانو،دانشگ

چکیده:

در این تحقیق، با استفاده از میکروسکوپ نیزوی اتمی (AFM) عمل لیتوگرافی در ابعاد نانومتری بر روی پلیمرهای Photoresist و SU-8 به عنوان ماسک توسط روش لایه نشانی چرخشی تهیه گردید . سپس الگوپذیری بر سطح این دو پلیمر از نظر تغییر شکل پلاستیکی Si انجام شد . ماسک های مزبور بر سطح زیر لایه در حین فرایند لیتوگرافی برروی دو پلیمر، تحقیق گشته AFM با استفاده از تحلیل ارتفاع خطوط ایجاد شده بررسی شد . به علاوه اثر افزایش سرعت روبش سوزن است