سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

هادی عربشاهی – گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
محمدرضا خلوتی – گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار

چکیده:

با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو ، مدلی سه دره ای برای مقایسه خواص ترابرد الکترونها در دو نیمرسانای InAs و InP در حضور میدان های شدید مورد استفاده قرار گرفته است . عوامل مختلف پراکندگی الکترونها از فونون ها و اتم های ناخالصی در این شبیه سازی در نظر گرفته شده است . مشخصه های ترابرد الکترونها در دو ماده نشان می دهد که سرعت سوق الکترونها در InAs بیشتر از InP بوده و در میدان الکتریکی بزرگتری رخ می دهد . این محاسبات در توافق خوبی با اندازه گیری های تجربی است .