سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمد رضا خلوتی –
هادی عربشاهی –

چکیده:

خواص ترابرد الکترونها در نیمرسانای ۶H-SiCدر میدان های الکتریکی شدید با استفاده از شبیه سازی آنسامبلی انجام پذیرفته است. در این شبیه سازی از مدلی سه دره ای با در نظر گرفتن پراکندگی الکترونها از ارتعاشات شبکه و عوامل ناخالصی استفاده شده است. مشخصه های ترابرد الکترونها در ۶H-SiC در مقایسه با GaAs نشان می دهد که سرعت سوق الکترونی در دو ماده تقریبا با هم برابر بوده، ولی میدان الکتریکی آستانه ۶H-SiC تقریبا پنجاه برابر GaAs است. لذا می توان از ۶H-SiC در ساخت قطعات الکترونیکی در میدان های الکتریکی شدیدتر استفاده نمود.