سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: دومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

مهدی تاج الدینی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافت، گروه فیزیک
محمد خان زاده – دانشگاه ولی عصر(عج) رفسنجان، گروه فیزیک

چکیده:

در این مقاله، اثر غیرخطی کر ، با روشانتشار مد MPA)در کوپلر MMI مورد مطالعه قرار گرفته است. میدان در ناحیه MMI با حل دستگاه معادلات غیر خطی کوپل شده و بدست آوردن میدان مدهای هدایتی، قابل محاسبه است. با بررسی انتشار نور در ناحیه غیرخطی اولین خود تصویری مشاهده و با تحلیل انتشار درMMI خطی و غیرخطی، اساسکار یکمیکروسویچ تمام اپتیکی نمایان شدهاست. با استفاده از انتگرالهای همپوشانی طولی و عرضی میدان در لبههای موجبرهای خروجی، ضرایب جفتشدگی و عبور کوپلر MMI بدست آمده و با تاثیر ضرایب از شدت نور ورودی، اساسکار یکمیکرو سویچ تمام نوری قابل استفاده در مخابرات فوتونیکی بررسی شدهاست.