سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

محمد عبدالاحد – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف، تهران
امید اخوان – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف، تهران
سودابه واثقی نیا – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف، تهران
علیرضا مشفق – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف، تهران، پژوهشکده علوم و فناوری نان

چکیده:

در این کار پژوهشی با استفاده از دستگاه میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) الگوهایی بروی لایه ماسک پلیمر فوتورزیست که برروی بستر LiTaO3 بروش لایه نشانی لایه نشانی گشته است،ایجاد گردید . پلیمر فوتورزیست به عنوان لایه ماسک در تکنولوژی ساخت قطعات میکرو الکترونیک کاربرد دارد . در (spin coating)چرخشی برروی لایه ماسک ایجاد گردید،همچنین اثر افزایش نیروی اعمال شده از طرف AFM نانومتر بوسیله نوک سوزن میکروسکوپ ۲۰ تا ۵ این فرایند الگوهایی در ابعاد نوک سوزن برروی عمق و کیفیت الگوها بررسی گردید .