سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

مینا اطیابی – گروه فیزیک دانشگاه مازندران،بابلسر ،دانشکده علوم پایه
مسهر باقری – گروه فیزیک دانشگاه مازندران،بابلسر ،دانشکده علوم پایه
مسعود امیری – گروه فیزیک دانشگاه مازندران،بابلسر ،دانشکده علوم پایه
رحمت ا… فرهنگ راد – گروه فیزیک دانشگاه مازندران،بابلسر ،دانشکده علوم پایه

چکیده:

رشد کوچک شدگی سریع ضخامت گیت دی الکتریک باعث شده است تا اکسید سیلیکون فوق نازک را نتوان به عنوان گیت دی الکتریک مناسب در ترانزیستور های آتیCMOSدانست از جمله مواد جانشین نیترید سیلیکون است که داده های سیکروترونی و تجزیه و تحلیل ساختار فیلم مزبور با Fitxpsنشان داده شده است که از لایهمیانی ( آمورف ) با زیر لای های سیلیکون برخوردار است . چون لایه آمورف باعث کاهش جریان تونل زنی ونشتی می شود می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب باشد