سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: سومین کنفرانس ملی خلاء

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

حاجی شیرین زاده – پژوهشگاه مواد و انرژی، مشکین دشت کرج
ثریا برنای زنوزی – پژوهشگاه مواد و انرژی، مشکین دشت کرج
قدرت الله صارمی نیا – شرکت صنایع قطعات نیمه هادی، تهران
حمیدرضا سیم چی – شرکت صنایع قطعات نیمه هادی، تهران

چکیده:

در این پژوهش لایه های اکسیدی دی اکسی دسیلیسیم (SiO2) سپس نیترید سیلیسیم (Si3N4) با ضخامت مناسب، بر روی پولک ایندیم آنتیموناید ( InSb)به روش PECVD، نشانده شده است. مقدار ضخامت اکسید یکی از عواملی است که می تواند در نشت سطحی جریان در آشکارساز تابش مادون قرمز در ساختار MIS نقش مهمی داشته باشد. کلیه مراحل لایه نشانی، ضرورت غیرفعال سازی سطح نیمه هادی، کیفیت لایه نهشته شده، و تشخیص نوع زیرلایه به کمک منحنی C-V در این مقاله مورد بررسی قرار می گیرد.