سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

مجید واعظ زاده – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی ، دانشکده علوم
حسین بیگ پور – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی ، دانشکده علوم

چکیده:

اعمال میدان مغناطیسی بر روی نمونه حامل جریان DC ، گاز الکترونی را متراکم کرده و باعث افزایش دما می شود . در یک فرایند تکدما نانومگنتها دارای یک حجم مجازی می باشند که تحت اعمال میدان مغناطیسی فشرده تر خواهند شد . تراکم گاز الکترونیاین جفت شدگی سبب کاهش شدید حجم مجازی شده و در نتیجه مقاومت ویژه را به شدت کاهش می دهد . این کاهش مقاومت ویژه تا جایی که تمام نانومگنتها جفت شوند ادامه خواهد یافت . بنابراین در هر دمای خاص، میدان مغناطیسی بحرانی ای وجود دارد که جفت شدگی از آن نقطه شروع می شود .