سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

رحیم فائز – دانشگاه صنعتی شریف
سید ابراهیم حسینی – دانشگاه تربیت دبیر سبزوار

چکیده:

معادله جریان‐ولتاژ برای یک ترانزیستور FET ساخته شده با نانو تیوب کربنی معمولی با دیودهای شاتکی در طرف های سورس و درین مورد بررسی قرار گرفته اشکال آن از لحاظ کاربرد در مدارهای آنالوگ بحث می شود. سپس چند ساختار جدید برای رفع عیب پیشنهاد شده و عملکرد آن ها با هم مقایسه می شود.