سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: سیزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

هادی حسین زادگان – دانشگاه تهران
یاسر عبدی – دانشگاه تهران
جواد کوهسرخی – دانشگاه تهران
شمس مهاجرزاده – دانشگاه تهران

چکیده:

چکیده : رشد عمودی نانولوله های کربنی چنددیواره، امکان ساخت ترانزیستور تونل زنی – گسیل میدانی را فراهم می کند . به علت نوک های تیز نانولوله ها، ترانزیستور قادراست درآستانه ۵ ولت، جریان گسیلی بین کاتدو آندی که به فاصله ی ۱۰۰میکرومتر از نوک نانو لوله ها قرار دارد، برقرار کند . با لایه نشانی اکسید تیتانیم به دور نانو لوله، گیت و نانولوله از یکدیگر جدا می شوند . اعمال ولتاژ به گیت ترانزیستور ، جریان گسیلی آن را کاملا کنترل می نماید . ساخ ت ترانزیستور تونل زنی – گسیل میدانی امکان نانولیتوگرافی را فراهم می کند . به علت نوک
های تیز نانولوله ها و ساختار ترانزیستور اشعه الکترونی قابل کنترلی که از نوک نانولوله ها خار ج می شود ، این امکان را می دهد که قطع و وصل کردن اشعه توسط گیت ترانزیستور قادر باشیم لیتوگرافی در ابعاد نانومتری را داشته باشیم . با اعمال ولتاژ گیت مناسب رو ی ترانز یستور می توان اشعه الکترونی را تا nm 200 متمرکز کرد . ما موفق شدیم با این روش تا ابعاد ۱۰۰ نانومتر لیتوگرافی کنیم .