سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

رقیه امیری – بابلسر، دانشگاه مازندران، دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک
علی بهاری – بابلسر، دانشگاه مازندران، دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک

چکیده:

قسمتهای مهم در ساختار نانوترانزیستور ها کانال عبوری حامل ها و گی ت دی الکتریک می باشند . با بهبود شرایط و نوع کانال و گیت بکار رفته در ترانزیستورها میتوان جریان عبوری را تا حد دلخواهی افزایش داد . در این پروژه از نانولولهی کربنی با توجه به ویژگی – های خاصش به عنوان کانال نام می بریم و چگونگی عبور حامل ها را از این کانال با استفاده از روش تحلیلی لاندائو – بوتیکر مورد مطالعـه قرار دادیم . نتایج نشان می دهند که به دلیل افزایش مقاومت در برابر حرکت حامل ها که باعث کاهش جریان مطلوب از کانال ایجاد شده در زیر گیت میشود، میتوان از سیستمهای دو گیتی به جای سیستم یک گیتی در ترانزیستورها استفاده نمود