سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

فواد پارسایی – بخش فیزیک، دانشگاه شیراز
محمدمهدی گلشن –

چکیده:

در این مقاله از نتایج روش کوانتش امواج در دی الکتریکها، به کمک تابع گرین، برای محاسبه گاف کریستال های فوتونی یک بعدی استفاده می شود .در این روش، ماتریس ارتباط بین شدتهای ورودی و خروجی برای یک لایه دی الکتریک بدون اتلاف را به دست آورده و با تعمیم آن ، این ارتباط برای ساختارهای لایه لایه مشخص می شود .با استفاده از این نتایج نمودار نسبت شدت خروجی به ورودی ، بر حسب فرکانس ، برای یک کریستال فوتونی یک بعدی رسم کرده ،گافهای فوتونی را به وضوح نشان می دهیم .همچنین مقایسه ای از گافهای فوتونی محاسبه شده از دو روش کلاسیکی و کوانتومی ارایه می گردد.