سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

ایوب اسماعیل پور – دانشکده فیزیک – دانشگاه علم و صنعت ایران – تهران، گروه فیزیک – دانشگاه ش
مهدی اسماعیل زاده – دانشکده فیزیک – دانشگاه علم و صنعت ایران – تهران
محمدرضا رحیمی تبار – دانشکده فیزیک – دانشگاه دانشگاه صنعتی شریف – تهران

چکیده:

در این مقاله خواص الکترونیکی ابرشبکه نیمه رسانای بی نظم GaAs-AlxGa1-xAs با همبستگی کوتاه برد ( بی نظمی دو تایی ) را مطالعه می کنیم . این ابرشـبکه از سدها و چاه ها با پهنای یکسان تشکیل شده ولی ارتفاع سدها دو مقدار متفاوت دارند که بطور بی نظم با همبستگی کوتاه برد در ابرشبکه توزیع شده اند . ابتدا با استفاده از روش ماتریس گذار طول جایگزیدگی را برای ابرشبکه با طول محدود در یک بعد در راستای عمود بر لایه ها محاسبه کرده و نشان می دهیم که همبستگی کوتاه برد در بی نظمی باعث گسترده شدن دو انرژی خاص ( انرژی تشدید ) در ابرشبکه شده و گذار فاز عایق – فلز در سیستم رخ می دهد . سپس نشان می دهیم که یکی از انرژی های تشدید تابع درصد مول های Al در سدهای دوتایی (x) می باشد در صورتی که انرژی دیگر مستقل از آن است .