سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

فرید جمالی شینی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهواز، اهواز، ایران
دیلیپ .اس. جوگ – بخش فیزیک دانشگاه پونا
ما هند را. آ. موره – بخش فیزیک دانشگاه پونا

چکیده:

لایه نازکی از نانو کریستال اکسید روی بر روی ریز لایه فلز روی از محلولی که حاوی ZnCl2 و H2O2 بوده به روش احیا کاتدی واز طریق حرارت دادن در اتمسفر در دمای ۴۰۰ درجه سانتیگراد و به مدت ۴ ساعت ایجاد شد. پراش پرتو ایکس مجموعه ای از پیکهای معینی مطابق با ساختار وتزایت اکسید روی نشان داد. تصاویر میکروسکوپ های الکترونی روبشی و عبوری مشخص می کند که نانو سیم های اکسیدروی با جهت گیری اتفاقی با طول چندین میکرون و قطر ۱۰۰nm تشکیل شده اند. مطالعه گسیل میدانی الکترون از طریق ساختار دیودی د ر فشار
۱×۱۰-۸ mbar صورت پذیرفت . مقدار میدان عطف مطابق تعریف برای چگالی گسیل جریان الکترون ۱/۲V/μm ، ۰٫۱ μA/cm2 بدست آمد. نمودار فولر – نوردهیم ( F-N) رفتار غیر خطی را در کل محدوده میدان اعمال شده مطابق با رفتار ذاتی گسیل کننده های نیمه هادی نشان داده است. ساده بودن روش ساخت همراه با خاصیت مناسب گسیل کننده نانو سیم های اکسید روی به طریق الکتروانباشت و اکسایش حرارتی می تواند نمایندهای از یک گسیل کننده خوب برای کاربری در جریان هایی با چگالی بالا داشته باشد.