سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس سالانه انجمن کامپیوتر ایران

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

آرش عزیزی مزرعه – دانشگاه آزاد اسلامی واحد سیرجان
محمدتقی منظوری – دانشگاه صنعتی شریف، دانشکده مهندسی کامپیوتر

چکیده:

این مقاله یک سلول چهار ترانزیستوریCMOS جدید SRAMرا ارائه می دهد. از این سلول می توان در SRAM ها با تراکم بسیار بالا و توان مصرفی کم استفاده کرد. سلول جدید از یکWord- Lineو یک Bit-Line استفاده می کند، و داده خود را با استفاده ازمسیر فیدبک و جریان نشتی ترانزیستور ها بدون استفاده از سیکل تازهسازی نگهداری می کند. در قوانین طراحی Layout یکسان، سلول جدید ٢٥ در صد مساحت کمتری را نسبت به سلول شش ترانزیستوری پایه اشغال می کند. انرژی مصرفی پویای سلول ارائه شده و سلول شش ترانزیستوری پایه به صورت تحلیلی مورد بررسی قرار گرفته اند، سلول جدید ٦٠ در صد انرژی مصرفی پویای کمتری نسبت به سلول پایه دارد. به علاوه سلول جدید و سلول شش ترازیستوری پایه در تکنولوژی ٢٠٠٦ /٢٥μmاستاندارد باHSPICE شبیه سازی شده اند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که سلول جدید به در ستی کار می کند و کارایی مناسبی در مقایسه با سلول شش ترانزیستوری پایه دارا می باشد. همچنین نتایج شبیه سازی نشان می دهد که عبارت های تحلیلی به دست آمده دارای دقت مناسبی می باشند.